Bilkentli mühendisler, uydularda kullanılmak üzere yüksek hızlı (RF) transistör teknolojisini milli imkanlarla geliştirdi. Galyum nitrat temelli transistörler yüksek hızlarda, yüksek güçlerde ve uzay radyasyonu ortamında bile çalışma özelliği gösteriyor.

Bilkent Üniversitesi'nde geliştirilen uydu teknolojileri, 2016 yılında ASELSAN'la birlikte ticari ürün olarak üretilecek. TÜBİTAK tarafından desteklenen ve Savunma Sanayi Müsteşarlığı (SSM) tarafından yürütülen bir uydu projesinde geliştirilen transistör teknolojileri, Türkiye'de üretilecek uydularda kullanılacak.

Geliştirilen malzemeyle yapılan yüksek hızlı elektronik devrelerin uzayda çok daha uzun süre kullanılabilmesi sayesinde, iletişim uydularının daha yüksek kapasiteyle uzun süreli çalışacağı ve bu durumun uydularda önemli bir maliyet avantajı getireceği belirtiliyor.